霍尔元件可用多种半导体资料造作，，，，，，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多层半导体异质结构量子阱资料等等。。。。。。

　　霍尔元件重要基于霍尔效应，，，，，，霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，，，，，，产生横向电位差的物理景象。。。。。。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。。。。。。当电流通过金属箔片时，，，，，，若在垂直于电流的方向施加磁场，，，，，，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。。。。。。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为显著，，，，，，而铁磁金属在居里温度以下将出现极强的霍尔效应。。。。。。关于霍尔效应的具体描述能够参考东升国际官网百科：霍尔效应。。。。。。

　　霍尔元件拥有很多利益，，，，，，它们的结构牢固，，，，，，体积幼，，，，，，沉量轻，，，，，，寿命长，，，，，，装置方便，，，，，，功耗幼，，，，，，频率高(可达1MHZ)，，，，，，耐震荡，，，，，，不怕尘埃、油污、水汽及盐雾等的传染或侵蚀。。。。。。

　　霍尔线性器件的精度高、线性度好；；；；；；；；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清澈、无抖动、无回跳、地位沉复精度高(可达μm级)。。。。。。选取了各类赔偿和保唬；；；；；；ご胧┑幕舳骷的工作温度领域宽，，，，，，可达-55℃～150℃。。。。。。

　　依照霍尔元件的职能可将它们分为：霍尔线性器件和霍尔开关器件。。。。。。前者输出模拟量，，，，，，后者输出数字量。。。。。。

　　按被检测的对象的性质可将它们的利用分为：直接利用和间接利用。。。。。。前者是直接检测出受检测对象自身的磁场或磁个性，，，，，，后者是检测受检对象上报答设置的磁场，，，，，，用这个磁场来作被检测的信息的载体，，，，，，通过它，，，，，，将很多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、地位、位移、速度、加快度、角度、角速度、转数、转速以及工作状态产生变动的功夫等，，，，，，转造成电量来进行检测和节造。。。。。。

01霍尔系数(又称霍尔常数)RH

　　在磁场不太强时，，，，，，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，，，，，，与霍尔片的厚度δ成反比，，，，，，即UH=RH*I*B/δ，，，，，，式中的RH称为霍尔系数，，，，，，它暗示霍尔效应的强弱。。。。。。另RH=μ*ρ即霍尔常数蹬宗霍尔片资料的电阻率ρ与电子迁徙率μ的乘积。。。。。。

02霍尔活络度KH(又称霍尔乘积活络度)

　　霍尔活络杜纂霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，，，，，，即KH=RH/δ，，，，，，它通常？？？？Ｄ芄槐碚骰舳Ｊ。。。。。。

03霍尔额定激励电流

　　当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。。。。。。

04霍尔最大允许激励电流

　　以霍尔元件允许最大温升为限度所对应的激励电流称为最大允许激励电流。。。。。。

05霍尔输入电阻

　　霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。。。。。。

06霍尔输出电阻

　　霍尔输出电极间的电阻值称为输入电阻。。。。。。

07霍尔元件的电阻温度系数

　　在不施加磁场的前提下，，，，，，环境温度每变动1℃时，，，，，，电阻的相对变动率，，，，，，用α暗示，，，，，，单元为%/℃。。。。。。

08霍尔不等位电势(又称霍尔偏移零点)

　　在没有表加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，，，，，，在输出端空载测得的霍尔电势差称为不等位电势。。。。。。

09霍尔输出电压

　　在表加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，，，，，，在输出端空载测得的霍尔电势差称为霍尔输出电压。。。。。。

10霍尔电压输出比率

　　霍尔不等位电势与霍尔输出电势的比率

11霍尔寄生直流电势

　　在表加磁场为零、霍尔元件用互换激励时，，，，，，霍尔电极输出除了互换不等位电势表，，，，，，还有一向流电势，，，，，，称寄生直流电势。。。。。。

12霍尔不等位电势

　　在没有表加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，，，，，，环境温度每变动1℃时，，，，，，不等位电势的相对变动率。。。。。。

13霍尔电势温度系数

　　在表加磁场和霍尔激励电流为I的情况下，，，，，，环境温度每变动1℃时，，，，，，不等位电势的相对变动率。。。。。。它同时也是霍尔系数的温度系数。。。。。。

14热阻Rth

　　霍尔元件工作时功耗每增长1W，，，，，，霍尔元件升高的温度值称为它的热阻，，，，，，它反映了元件散热的难易水平，，，，，，单元为：摄氏度/w。。。。。。